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重金属掺杂硅平面外延开关三极管失效分析技术研究

〖字号: 发布日期:2017-07-12

重金属掺杂硅平面外延开关三极管失效分析技术研究

曹德峰1,2,张 颖3,崔 帅1,2,李志勇1,2,胥佳灵1,2,卢 健
1. 上海微小卫星工程中心;2. 中国科学院微小卫星重点实验室;3. 上海精密计量测试研究所
摘要:对航天某型号选用3DK104D 型NPN 硅外延平面小功率开关三极管补充筛选试验中参数超差问题进行了分析,采用非破坏和破坏性分析相结合的技术,对硅基开关晶体管的失效机理进行了研究,最终得出参数超差属批次性质量问题,予以剔除。
关键字:开关三极管;掺杂工艺;航天型号工程;失效分析

Research on Failure Analysis of Switching Transistors Applied on Heavy Metal Doped  Silicon Planar Epitaxial Technique

CAO De-feng1,2, ZHANG Ying3, CUI Shuai1,2, LI Zhi-yong1,2, XU Jia-ling1,2, LU Jian1,2
1. Shanghai Engineering Center for Microsatellites,2. Key Laboratory for Micro Satellites, Chinese A
Abstract:In this paper, the type of 3DK104D NPN silicon epitaxial planar power switch transistors is studied. The problem of out-of-tolerance parameter is analyzed which used both non-destructive and destructive techniques. The failure mechanism of silicon switching transistor were studied, the lot of transistors belong to batch quality problem and can’t be used in Space Project
Key Words:switching transistor; doping process; Space Project; failure analysis


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